집속이온빔장치(FIB 3)
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단축명 | FIB 3 |
모델명 | NX2000 |
설치장소 | 미세구조분석실//81B102호 |
제작사 | HITACHI |
도입년도/가격 | 201804 / 1,200,000,000 |
담당자 | 신연주(Shin Yeonju) 031-299-6732 |
장비용도 | |
FIB Cross Section, TEM Sampling, Ion Canneling Contrast | |
기본사양 | |
FIB Accelerating voltages : 0.5 to 30 kV Beam Current : 0.05 pA ~ 100 nA Image resolution : 4 nm (at 30 kV) |