집속이온빔장치(FIB Ⅲ)
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| 단축명 | FIB Ⅲ |
| 모델명 | NX2000 |
| 설치장소 | 미세구조분석실//81B102호 |
| 제작사 | HITACHI |
| 도입년도/가격 | 201804 / 1,200,000,000 |
| 담당자 | 신연주(Shin Yeonju) 031-299-6732 |
| 장비용도 | |
| FIB Cross Section, TEM Sampling, Ion Canneling Contrast | |
| 기본사양 | |
| FIB Accelerating voltages : 0.5 to 30 kV Beam Current : 0.05 pA ~ 100 nA Image resolution : 4 nm (at 30 kV) | |