Feild Emission Auger Electron Spectrometer
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| Short Name | AES |
| Model Name | JAMP-9500F |
| Laboratory | 표면분석실//[81B111]기기분석실Ⅰ |
| maker | JEOL |
| Installed Year/Price | 202203 / 1,055,394,000 |
| Staff Name | 이은영(Lee Eunyoung) 031-299-6750 |
| Main Appplication Field | |
| 고진공 상태에서 수백Å크기로 집속된 전자빔을 소재 및 부품(금속재료 및 반도체재료 등) 표면에 입사시켜 방출되는 Auger전자의 운동에너지를 측정함으로써 재료표면을 구성하고 있는 원소의 종류와 양을 빠르게 분석해 내는 표면분석방법으로써 시료의 표면에 존재하는 오염성분측정 다층박막 성분분석은 물론 나노미터 공간분해능으로 미세영역분석 및 표면의 2차원 화학조성 이미지 mapping을 통하여 표면의 성분분포를 알아낼 수 있는 표면분석장비임. | |
| Basic Specification | |
| ○ EOS 1) Emitter : ZrO/W Schottky FEG 2) Acce. Volt(가속전압) : Max. 25kV. 이상 3) Probe Current(탐침전류) : min. 1x10E-11, Max. 1x10E-7A이상 4) min. Probe Size : 3nm (SEI Resolution at 25kV), 8nm (Auger analysis at 25kV) ○ Auger Analysis System 1) Detector : Multi channel detector; pulse count mode 2) Energy Resolution : 0.05 ~ 0.6% 3) Sensitivity: 700,000 cps이상 (10kV, 10nA) ○ Vacuum System 1) Main Chamber : 6.7×10－8 Pa이하 ○ Ion Gun 1) Ion Energy : Max. 4keV 이상 2) Ion Beam current : 2μA at 3keV 3) Ion current density : 250μA/c㎡ at 3keV 0.1μA/c㎡ at 10eV 4) Ion beam diameter : min. 200μm 이하 5) Raster area : 10 mm 이하 | |